По будням с 10:00 до 19:00

Память DDR5 8GB 6400MHz Samsung M435R1GB4PB1-CCP RTL PC5-51200 CL52 SO-DIMM 262-pin 1.1В Ret

Производители SAMSUNG
Код Товара: CO2159113
14254 ₽
В наличии



Бренд: SAMSUNG


PartNumber/Артикул Производителя: M435R1GB4PB1-CCP


Форм-фактор: SO-DIMM


Тип памяти: DDR5


Количество в упаковке: 1


Объем: 8192


Тип поставки: Ret


Скорость (тест): 6400МГц


Суммарный объем памяти всего комплекта: 8


Объем одного модуля: 8


Модель: M435R1GB4PB1-CCP


Тип: Оперативная память


Обозначение памяти: SO-DIMM


Количество контактов: 262-pin


Тактовая частота: 6400


Показатель скорости: PC5-51200


Пропускная способность: 51200


Напряжение (тест): 1.1В


Латентность (CAS): CL52


Буферизация: unbuffered

Section_Id:0
Бренд SAMSUNG
Обозначение памяти SO-DIMM
Объем одного модуля 8
Пропускная способность 51200
Суммарный объем памяти всего комплекта 8
Тип Оперативная память
Модель
PartNumber/Артикул Производителя M435R1GB4PB1-CCP
Модель M435R1GB4PB1-CCP
Основные характеристики
Буферизация unbuffered
Количество в упаковке 1
Количество контактов 262-pin
Латентность (CAS) CL52
Объем 8192
Показатель скорости PC5-51200
Тактовая частота 6400
Тип памяти DDR5
Форм-фактор SO-DIMM
Прочие характеристики
Напряжение (тест) 1.1В
Скорость (тест) 6400МГц
Тип поставки Ret
Написать отзыв
Примечание: HTML разметка не поддерживается! Используйте обычный текст.

Нет отзывов об этом товаре.