Память DDR5 8GB 4800MHz Samsung M425R1GB4BB0-CQK OEM PC5-38400 CL40 SO-DIMM 260-pin 1.1В dual rank OEM
Бренд: SAMSUNG
Тип памяти: DDR5
Тактовая частота: 4800
Количество в упаковке: 1
Тип поставки: OEM
Форм-фактор: SO-DIMM
Буферизация: unbuffered
Показатель скорости: PC5-38400
Скорость (тест): 4800МГц
Напряжение (тест): 1.1В
Латентность (CAS): CL40
Количество рангов (Ranks): dual rank
Объем: 8192
Суммарный объем памяти всего комплекта: 8
Объем одного модуля: 8
Количество контактов: 260-pin
PartNumber/Артикул Производителя: M425R1GB4BB0-CQK
Модель: M425R1GB4BB0-CQK
Длина упаковки (ед): 0.16
Ширина упаковки (ед): 0.04
Высота упаковки (ед): 0.005
Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.16x0.04x0.005
Вес упаковки (ед): 0.032
Объем упаковки (ед): 0.000032
Тип: Оперативная память
Пропускная способность: 38400
Задержка (тест): 40-40-40
RAS to CAS Delay (tRCD): 40
Row Precharge Delay (tRP): 40
| Section_Id:0 | |
| PartNumber/Артикул Производителя | M425R1GB4BB0-CQK |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 40 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 40 |
| Бренд | SAMSUNG |
| Буферизация | unbuffered |
| Вес упаковки (ед) | 0.032 |
| Высота упаковки (ед) | 0.005 |
| Габариты упаковки (ед) ДхШхВ | 0.16x0.04x0.005 |
| Длина упаковки (ед) | 0.16 |
| Задержка (тест) | 40-40-40 |
| Количество в упаковке | 1 |
| Количество контактов | 260-pin |
| Количество рангов (Ranks) | dual rank |
| Латентность (CAS) | CL40 |
| Модель | M425R1GB4BB0-CQK |
| Напряжение (тест) | 1.1В |
| Объем | 8192 |
| Объем одного модуля | 8 |
| Объем упаковки (ед) | 0.000032 |
| Показатель скорости | PC5-38400 |
| Пропускная способность | 38400 |
| Скорость (тест) | 4800МГц |
| Суммарный объем памяти всего комплекта | 8 |
| Тактовая частота | 4800 |
| Тип | Оперативная память |
| Тип памяти | DDR5 |
| Тип поставки | OEM |
| Форм-фактор | SO-DIMM |
| Ширина упаковки (ед) | 0.04 |
Нет отзывов об этом товаре.