Память DDR5 16GB 5600MHz Samsung M425R2GA3BB0-CWM OEM PC5-44800 CL40 SO-DIMM 262-pin 1.1В single rank OEM
6440 ₽
Нет в наличии
Бренд: SAMSUNG
Тип памяти: DDR5
Объем: 16384
Количество в упаковке: 1
Тип поставки: OEM
Форм-фактор: SO-DIMM
Буферизация: unbuffered
Напряжение (тест): 1.1В
Латентность (CAS): CL40
PartNumber/Артикул Производителя: M425R2GA3BB0-CWM
Модель: M425R2GA3BB0-CWM
Количество рангов (Ranks): single rank
Скорость (тест): 5600МГц
Количество контактов: 262-pin
Суммарный объем памяти всего комплекта: 16
Объем одного модуля: 16
Тактовая частота: 5600
Тип: Оперативная память
Задержка (тест): 40-40-40
RAS to CAS Delay (tRCD): 40
Row Precharge Delay (tRP): 40
Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.07x0.03x0.003
Вес упаковки (ед): 0.032
Объем упаковки (ед): 0.0000063
Обозначение памяти: SO-DIMM
Показатель скорости: PC5-44800
Пропускная способность: 44800
| Section_Id:0 | |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 40 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 40 |
| Бренд | SAMSUNG |
| Вес упаковки (ед) | 0.032 |
| Габариты упаковки (ед) ДхШхВ | 0.07x0.03x0.003 |
| Обозначение памяти | SO-DIMM |
| Объем одного модуля | 16 |
| Объем упаковки (ед) | 0.0000063 |
| Пропускная способность | 44800 |
| Суммарный объем памяти всего комплекта | 16 |
| Тип | Оперативная память |
| Модель | |
| PartNumber/Артикул Производителя | M425R2GA3BB0-CWM |
| Модель | M425R2GA3BB0-CWM |
| Основные характеристики | |
| Буферизация | unbuffered |
| Количество в упаковке | 1 |
| Количество контактов | 262-pin |
| Количество рангов (Ranks) | single rank |
| Латентность (CAS) | CL40 |
| Объем | 16384 |
| Показатель скорости | PC5-44800 |
| Тактовая частота | 5600 |
| Тип памяти | DDR5 |
| Форм-фактор | SO-DIMM |
| Прочие характеристики | |
| Задержка (тест) | 40-40-40 |
| Напряжение (тест) | 1.1В |
| Скорость (тест) | 5600МГц |
| Тип поставки | OEM |
Написать отзыв
Нет отзывов об этом товаре.