Память DDR4 Samsung M386AAG40AM3-CWE 128Gb LRDIMM Reg PC4-25600 CL21 3200MHz
101345 ₽
Нет в наличии
Бренд: SAMSUNG
Тип: DDR4
Количество модулей: 1
Частотная спецификация: 3200
Показатель скорости: PC4-25600
Буферизация: registered
Латентность: CL21
PartNumber/Артикул Производителя: M386AAG40AM3-CWE
Емкость одного модуля: 131072
PartNumber для Сборных Станций: M386AAG40AM3
Форм-фактор: LRDIMM
Модель: M386AAG40AM3-CWE
Количество контактов: 288-pin
Обозначение памяти (только для Ситилинка): LP LRDIMM
Напряжение: 1.2
Для серверов: да
Назначение (для сайта Ситилинк): для серверов
Ссылка на сайт поставщика/вендора: https://semiconductor.samsung.com/dram/module/lrdimm/m386aag40am3-cwe/
| Section_Id:0 | |
| PartNumber для Сборных Станций | M386AAG40AM3 |
| PartNumber/Артикул Производителя | M386AAG40AM3-CWE |
| Бренд | SAMSUNG |
| Буферизация | registered |
| Для серверов | да |
| Емкость одного модуля | 131072 |
| Количество контактов | 288-pin |
| Количество модулей | 1 |
| Латентность | CL21 |
| Модель | M386AAG40AM3-CWE |
| Назначение (для сайта Ситилинк) | для серверов |
| Напряжение | 1.2 |
| Обозначение памяти (только для Ситилинка) | LP LRDIMM |
| Показатель скорости | PC4-25600 |
| Ссылка на сайт поставщика/вендора | https://semiconductor.samsung.com/dram/module/lrdimm/m386aag40am3-cwe/ |
| Тип | DDR4 |
| Форм-фактор | LRDIMM |
| Частотная спецификация | 3200 |
Написать отзыв
Нет отзывов об этом товаре.