Накопитель SSD Samsung PCIe 4.0 x4 1TB MZ-V9S1T0BW 990 EVO Plus M.2 2280
Бренд: SAMSUNG
Интерфейс: PCIe 4.0 x4
Тип жесткого диска: SSD
Объем накопителя: 1024
Форм-фактор: M.2 2280
Модель: 990 EVO Plus
PartNumber/Артикул Производителя: MZ-V9S1T0BW
Максимальная скорость чтения: 7150
Максимальная скорость записи: 6300
Время наработки на отказ: 1500000
Поддержка NVMe: ДА
Поддержка TRIM: ДА
Разъем: M.2
Тип памяти NAND: MLC
Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 850000
Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1350000
Ресурс TBW: 600
Потребляемая мощность: 4.3
Мощность в режиме ожидания: 0.06
Толщина товара: 2.38
Ширина товара: 22.15
Длина товара: 80.15
Вес устройства: 9
Особенности: Samsung V-NAND TLC
Ударостойкость при работе: 1500 G
Ударостойкость при хранении: 1500 G
Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.144x0.022x0.095
Вес упаковки (ед): 0.13
Объем упаковки (ед): 0.00030096
Ключ M.2 разъема: M
Назначение: для ПК/ноутбука
Section_Id:0 | |
Бренд | SAMSUNG |
Вес упаковки (ед) | 0.13 |
Вес устройства | 9 |
Габариты упаковки (ед) ДхШхВ | 0.144x0.022x0.095 |
Длина товара | 80.15 |
Ключ M.2 разъема | M |
Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) | 1350000 |
Назначение | для ПК/ноутбука |
Объем упаковки (ед) | 0.00030096 |
Поддержка TRIM | ДА |
Ударостойкость при работе | 1500 G |
Ударостойкость при хранении | 1500 G |
Ширина товара | 22.15 |
Модель | |
PartNumber/Артикул Производителя | MZ-V9S1T0BW |
Модель | 990 EVO Plus |
Тип жесткого диска | SSD |
Описание | |
Особенности | Samsung V-NAND TLC |
Основные характеристики | |
Время наработки на отказ | 1500000 |
Интерфейс | PCIe 4.0 x4 |
Максимальная скорость записи | 6300 |
Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) | 850000 |
Максимальная скорость чтения | 7150 |
Мощность в режиме ожидания | 0.06 |
Объем накопителя | 1024 |
Поддержка NVMe | ДА |
Потребляемая мощность | 4.3 |
Разъем | M.2 |
Ресурс TBW | 600 |
Тип памяти NAND | MLC |
Толщина товара | 2.38 |
Форм-фактор | M.2 2280 |
Нет отзывов об этом товаре.