Накопитель SSD Samsung PCIe 4.0 x4 1TB MZ-V9P1T0B/AM 990 Pro M.2 2280
Бренд: SAMSUNG
Тип жесткого диска: SSD
Объем накопителя: 1024
Серия: 990 Pro
Форм-фактор: M.2 2280
Модель: MZ-V9P1T0B/AM
PartNumber/Артикул Производителя: MZ-V9P1T0B/AM
Максимальная скорость чтения: 7450
Максимальная скорость записи: 6900
Время наработки на отказ: 1500000
Поддержка NVMe: ДА
Разъем: M.2
DRAM буфер: ДА
Поддержка TRIM: ДА
Объем DRAM буфера: 1024
Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 1200000
Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1550000
Ресурс TBW: 600
Потребляемая мощность: 5.4
Мощность в режиме ожидания: 0.05
Толщина товара: 2.3
Ширина товара: 22
Длина товара: 80
Вес устройства: 9
Ключ M.2 разъема: M
Для ПК/ноутбука: ДА
Ударостойкость при работе: 1500 G
Ударостойкость при хранении: 1500 G
Интерфейс: PCIe 4.0 x4
Тип памяти NAND: TLC
Структура памяти NAND: 3D
Назначение: для ноутбука, для ПК
Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.098x0.02x0.165
Вес упаковки (ед): 0.109
Объем упаковки (ед): 0.0003234
| Section_Id:0 | |
| DRAM буфер | ДА |
| Бренд | SAMSUNG |
| Вес упаковки (ед) | 0.109 |
| Вес устройства | 9 |
| Габариты упаковки (ед) ДхШхВ | 0.098x0.02x0.165 |
| Длина товара | 80 |
| Для ПК/ноутбука | ДА |
| Ключ M.2 разъема | M |
| Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) | 1550000 |
| Назначение | для ноутбука, для ПК |
| Объем DRAM буфера | 1024 |
| Объем упаковки (ед) | 0.0003234 |
| Поддержка TRIM | ДА |
| Структура памяти NAND | 3D |
| Ударостойкость при работе | 1500 G |
| Ударостойкость при хранении | 1500 G |
| Ширина товара | 22 |
| Модель | |
| PartNumber/Артикул Производителя | MZ-V9P1T0B/AM |
| Модель | MZ-V9P1T0B/AM |
| Серия | 990 Pro |
| Тип жесткого диска | SSD |
| Основные характеристики | |
| Время наработки на отказ | 1500000 |
| Интерфейс | PCIe 4.0 x4 |
| Максимальная скорость записи | 6900 |
| Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) | 1200000 |
| Максимальная скорость чтения | 7450 |
| Мощность в режиме ожидания | 0.05 |
| Объем накопителя | 1024 |
| Поддержка NVMe | ДА |
| Потребляемая мощность | 5.4 |
| Разъем | M.2 |
| Ресурс TBW | 600 |
| Тип памяти NAND | TLC |
| Толщина товара | 2.3 |
| Форм-фактор | M.2 2280 |
Нет отзывов об этом товаре.