По будням с 10:00 до 19:00

Накопитель SSD Samsung PCIe 4.0 x4 1TB MZ-V9P1T0B/AM 990 Pro M.2 2280

Производители SAMSUNG
Код Товара: CO2000771
17585 ₽
В наличии



Бренд: SAMSUNG


Тип жесткого диска: SSD


Объем накопителя: 1024


Серия: 990 Pro


Форм-фактор: M.2 2280


Модель: MZ-V9P1T0B/AM


PartNumber/Артикул Производителя: MZ-V9P1T0B/AM


Максимальная скорость чтения: 7450


Максимальная скорость записи: 6900


Время наработки на отказ: 1500000


Поддержка NVMe: ДА


Разъем: M.2


DRAM буфер: ДА


Поддержка TRIM: ДА


Объем DRAM буфера: 1024


Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 1200000


Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1550000


Ресурс TBW: 600


Потребляемая мощность: 5.4


Мощность в режиме ожидания: 0.05


Толщина товара: 2.3


Ширина товара: 22


Длина товара: 80


Вес устройства: 9


Ключ M.2 разъема: M


Для ПК/ноутбука: ДА


Ударостойкость при работе: 1500 G


Ударостойкость при хранении: 1500 G


Интерфейс: PCIe 4.0 x4


Тип памяти NAND: TLC


Структура памяти NAND: 3D


Назначение: для ноутбука, для ПК


Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.098x0.02x0.165


Вес упаковки (ед): 0.109


Объем упаковки (ед): 0.0003234

Section_Id:0
DRAM буфер ДА
Бренд SAMSUNG
Вес упаковки (ед) 0.109
Вес устройства 9
Габариты упаковки (ед) ДхШхВ 0.098x0.02x0.165
Длина товара 80
Для ПК/ноутбука ДА
Ключ M.2 разъема M
Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) 1550000
Назначение для ноутбука, для ПК
Объем DRAM буфера 1024
Объем упаковки (ед) 0.0003234
Поддержка TRIM ДА
Структура памяти NAND 3D
Ударостойкость при работе 1500 G
Ударостойкость при хранении 1500 G
Ширина товара 22
Модель
PartNumber/Артикул Производителя MZ-V9P1T0B/AM
Модель MZ-V9P1T0B/AM
Серия 990 Pro
Тип жесткого диска SSD
Основные характеристики
Время наработки на отказ 1500000
Интерфейс PCIe 4.0 x4
Максимальная скорость записи 6900
Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) 1200000
Максимальная скорость чтения 7450
Мощность в режиме ожидания 0.05
Объем накопителя 1024
Поддержка NVMe ДА
Потребляемая мощность 5.4
Разъем M.2
Ресурс TBW 600
Тип памяти NAND TLC
Толщина товара 2.3
Форм-фактор M.2 2280
Написать отзыв
Примечание: HTML разметка не поддерживается! Используйте обычный текст.

Нет отзывов об этом товаре.