По будням с 10:00 до 19:00

Накопитель SSD Samsung PCIe 4.0 x4 1TB MZ-V9E1T0B/AM 990 EVO M.2 2280

Производители SAMSUNG
Код Товара: CO2099467
13667 ₽
В наличии



Бренд: SAMSUNG


Модель: 990 EVO


Интерфейс: PCIe 4.0 x4


Тип жесткого диска: SSD


Объем накопителя: 1024


Форм-фактор: M.2 2280


PartNumber/Артикул Производителя: MZ-V9E1T0B/AM


Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.133x0.102x0.01


Вес упаковки (ед): 0.13


Объем упаковки (ед): 0.00013566


Максимальная скорость чтения: 5000


Максимальная скорость записи: 4200


Время наработки на отказ: 1500000


Поддержка NVMe: ДА


Поддержка TRIM: ДА


Разъем: M.2


Ключ M.2 разъема: M


Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 680000


Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 800000


Ресурс TBW: 600


Потребляемая мощность: 4.9


Мощность в режиме ожидания: 0.06


Толщина товара: 2.38


Ширина товара: 22


Длина товара: 80


Вес устройства: 9


Ударостойкость при работе: 1500 G


Ударостойкость при хранении: 1500 G


Назначение: для ПК/ноутбука


Структура памяти NAND: 3D

Section_Id:0
Бренд SAMSUNG
Вес упаковки (ед) 0.13
Вес устройства 9
Габариты упаковки (ед) ДхШхВ 0.133x0.102x0.01
Длина товара 80
Ключ M.2 разъема M
Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) 800000
Назначение для ПК/ноутбука
Объем упаковки (ед) 0.00013566
Поддержка TRIM ДА
Структура памяти NAND 3D
Ударостойкость при работе 1500 G
Ударостойкость при хранении 1500 G
Ширина товара 22
Модель
PartNumber/Артикул Производителя MZ-V9E1T0B/AM
Модель 990 EVO
Тип жесткого диска SSD
Основные характеристики
Время наработки на отказ 1500000
Интерфейс PCIe 4.0 x4
Максимальная скорость записи 4200
Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) 680000
Максимальная скорость чтения 5000
Мощность в режиме ожидания 0.06
Объем накопителя 1024
Поддержка NVMe ДА
Потребляемая мощность 4.9
Разъем M.2
Ресурс TBW 600
Толщина товара 2.38
Форм-фактор M.2 2280
Написать отзыв
Примечание: HTML разметка не поддерживается! Используйте обычный текст.

Нет отзывов об этом товаре.